IBM和日本创业公司芯片商Rapidus于IEEE IEDM 2024海外电子组件会议，展示配合的多阈值电压GAA晶体管效力，有望用于Rapidus的2纳米量产。

IBM默示，先进制程升级至2纳米节点后，晶体管结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程拔赵帜立汉帜带来新挑战。若何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压推论复杂计较是个挑战。

IBM强调，2纳米制程N型和P型半导体信谈，距离相等短促，需精准曝激光雷达到多阈值电压，也不影响半导体性能。IBM联袂Rapidus导入两种接纳性减少层（SLR）芯片构建，胜仗完成推断打算。

IBM商议院高等时间东谈主员Bao Ruqiang默示，与FinFET相较，Nanosheet纳米片结构相等不同，且更复杂。新时间比往常法子更苟简。笃信将使配合资伴Rapidus更容易可靠量产2纳米芯片。

(首图源流：Unsplash)